DDR 布板注意事项

文件标识：RK-SM-YF-036

发布版本：V1.3.1

日期：2021-02-25

文件密级：□绝密 □秘密 □内部资料 ■公开

免责声明

本文档按“现状”提供，瑞芯微电子股份有限公司（“本公司”，下同）不对本文档的任何陈述、信息和内容的准确性、可靠性、完整性、适销性、特定目的性和非侵权性提供任何明示或暗示的声明或保证。本文档仅作为使用指导的参考。

由于产品版本升级或其他原因，本文档将可能在未经任何通知的情况下，不定期进行更新或修改。

商标声明

“Rockchip”、“瑞芯微”、“瑞芯”均为本公司的注册商标，归本公司所有。

本文档可能提及的其他所有注册商标或商标，由其各自拥有者所有。

超越合理使用范畴，非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部，并不得以任何形式传播。

瑞芯微电子股份有限公司

Rockchip Electronics Co., Ltd.

地址：福建省福州市铜盘路软件园A区18号

网址： www.rock-chips.com

客户服务电话： +86-4007-700-590

客户服务传真： +86-591-83951833

客户服务邮箱： fae@rock-chips.com

前言

概述

记录所有平台的 DDR 布板注意事项

产品版本

芯片名称	内核版本
所有芯片	所有内核版本

读者对象

本文档（本指南）主要适用于以下工程师：

硬件工程师

修订记录

版本号	作者	修改日期	修改说明
V1.0.0	何灿阳	2017-11-02	初始版本
V1.1.0	陈炜	2017-11-09	更改某些表述
V1.2.0	汤云平	2018-01-14	增加 RK3326 描述及 LPDDR2/LPDDR3 要求
V1.3.0	陈有敏	2018-10-08	增加总容量 3GB 说明和 RK3399 单通道布线要求
V1.3.1	黄莹	2021-02-25	修改格式

[TOC]

名词说明

颗粒：指各种 DDR memory，DDR3 memory、DDR4 memory、LPDDR3 memory、LPDDR4 memory、LPDDR2 memory
CS：主控或 DDR memory 的片选信号
rank：就是 CS，就是片选信号
byte：主控每 8 根 DDR 信号线，成为一个 byte。所以 byte0 指 DQ0-DQ7，byte1 指 DQ8-DQ15，byte2 指 DQ16-DQ23，byte3 指 DQ24-DQ31。注意，这里的 DQ 都是说主控的，颗粒的 DQ 不一定跟主控的 DQ 是一一对应连接的。
bank：是指 DDR memory 的 bank 数量
column：是指 DDR memory 的 column 数量
row：是指 DDR memory 的 row 数量
AXI SPLIT：非对称容量组合模式，如高位寻址区为 16bit 位宽，低位寻址区为 32bit 位宽。例如常规的组合为 256x16+256x16，而 AXI SPLIT 的组合为 256x16+128x16=768MB，在高位寻址区只剩 16bit 位宽，示意图如下图。

总的要求

总的要求适用于所有平台，各款主控的特殊要求，后面单独列出

1、DQ 的交换，不能超出该组 byte，只能在 byte 内部进行交换。有些主控有特殊要求，byte 内部都不能交换，见具体主控的特殊要求

2、用到 2 个 CS 上的 bank、column 数量不同的 DDR 颗粒，需要跟软件确认是否支持

3、如果颗粒只有一个 CS，只能接在主控的 CS0 上

4、如果只用一个通道，只支持通道 0

5、如果颗粒 2 个 CS 的容量不同，则容量小的应该放在主控的 CS1 上

6、所有平台，不支持大于 2 个 CS 的颗粒

7、如果颗粒只有一个 ODT（像 LPDDR3），应该连到 ODT0 上

8、6Gb、12Gb 的使用比较特殊（8Gb、4Gb、2Gb 没有这条限制）

目前只支持一个通道上的 2 个 CS 都是 6Gb 或者 2 个 CS 都是 12Gb 的，不支持 6Gb、12Gb 与 8Gb、4Gb、2Gb 混合在 2 个 CS 中使用。比如：

CS0	CS1	支持情况
6Gb	6Gb	支持
12Gb	12Gb	支持
6Gb	12Gb	不支持违反要求 5，并且这样组合也不支持
12Gb	6Gb	不支持，这种组合也不支持
8Gb	6Gb	不支持 8Gb 和 6Gb 混合在 2 个 CS 中
12Gb	8Gb	不支持 12Gb 和 8Gb 混合在 2 个 CS 中
6Gb	4Gb	不支持 6Gb 和 4Gb 混合在 2 个 CS 中
12Gb	4Gb	不支持 12Gb 和 4Gb 混合在 2 个 CS 中

9、颗粒的 RZQ 不能共用

10、DDR4 目前连接方式暂无特殊要求

11、外接 LPDDR2 或 LPDDR3 时，DDR0 的 DQ0-DQ7 应该一一对应的连接到 DRAM 的 DQ0-DQ7

12、双通道 DRAM 总容量 3GB 支持情况 双通道 DRAM 总容量 3GB 支持的颗粒组合如下图：

DRAM_3GB 说明：1）RK3288，RK3399 支持双通道。

13、单通道 DRAM 总容量 3GB 支持情况 单通道 DRAM 总容量 3GB 支持的颗粒组合如下图：

DRAM_3GB

RK3399 特殊要求

1、 CS2 是 CS0 的复制信号，CS3 是 CS1 的复制信号，其行为与被复制信号完全一样

2、CLK 走线必须比该通道任意一组 DQS 都长，ddr PHY 的要求

3、LPDDR3 的 D0-D15 必须和主控完全一一对应的连接

4、LPDDR3 的 D16、D24 这 2 根数据线也必须和主控完全一一对应连接

5、注意主控一个通道与 LPDDR4 颗粒 2 个通道的组成关系

LPDDR4_ZQ 采用颗粒的 Channel A + Channel C 组成一个 32bit，和 Channel B + Channel D 组成一个 32bit，这种方法，能做到避免 ZQ 共用的问题

6、LPDDR4 的 RZQ 要通过 240 电阻接 VDDQ，而不是 GND，这点要注意，RK3399 主控端没有变，还是一样 RZQ 通过 240 电阻接 GND

7、接 LPDDR4 时，主控端的 DDR0_ODT0/1，DDR1_ODT0/1 悬空，不用连到 LPDDR4 颗粒。而颗粒端的 ODT_CA_X 默认通过 10K 电阻上拉到 VDDQ，暂时预留 DNP 的下拉电阻

8、LPDDR4 所有数据线（DQ）都不能对调，不管组内，还是组间

9、如果只用 channel 0，channel 1 也需要供电

RK3326、PX30 特殊要求

1、支持的位宽组合方式

32bit 最大位宽（大容量 16bit+小容量 16bit），举例：256x16+128x16=768MB。
16bit 最大位宽（大容量 8bit+小容量 8bit），举例：512x8+256x8=768MB。

2、颗粒要求

AXI SPLIT 模式下，要求所有颗粒的 column,bank 是相同的。

3、连接要求

AXI SPLIT 模式下，要求在使用 16bit 位宽的颗粒时，需要将 AP DDR 控制器的 byte0/1 接在一个颗粒上，将 byte2/3 接在一个颗粒上。
AXI SPLIT 模式下，要求较大容量的颗粒连接到 AP DDR 控制器的低位区，如 byte0 或 byte0/1,举例：16bit a 颗粒+16bit b 颗粒组成 32bit 位宽，如果 a 颗粒的容量大，则 a 颗粒连接到 byte0/1。
如果使用 2 个 CS，则只有 CS1 支持 AXI SPLIT，允许两种方式：
1. CS1 上采用非对称容量，如 CS0 上为 32bit 总位宽，则 CS1 上采用大容量 16bit+小容量 16bit 颗粒拼接成 32bit，如 CS0 上为 16bit 总位宽，则 CS1 上采用大容量 8bit+小容量 8bit 颗粒拼接成 16bit。
2. CS1 上只贴一半位宽的颗粒，要求其 row<=CS0 上的颗粒。如 CS0 为 32bit 总位宽，则 CS1 贴 16bit 的颗粒，如 CS0 为 16bit 总位宽，则 CS1 贴 8bit 的颗粒。

4、下表列举出了所有支持的 AXI SPLIT 的容量组合。该表格之外的 AXI SPLIT 组合都不支持。

NO.	CS0	CS1	支持情况
1	16bit 最大位宽（大容量 8bit+小容量 8bit）	无颗粒	支持
2	32bit 最大位宽（大容量 16bit+小容量 16bit）	无颗粒	支持
3	32bit 固定位宽	32bit 最大位宽（大容量 16bit+小容量 16bit）	支持
4	32bit 固定位宽	16bit 固定位宽，接 Byte0/1（`row<=cs0` 上的颗粒 row）	支持
5	16bit 固定位宽	16bit 最大位宽（大容量 8bit+小容量 8bit）	支持
6	16bit 固定位宽	8bit 固定位宽，接 Byte0（`row<=cs0` 上的颗粒 row）	支持

5、常规应用同其他平台一致。

名词说明​

总的要求​

RK3399 特殊要求​

RK3326、PX30 特殊要求​

名词说明

总的要求

RK3399 特殊要求

RK3326、PX30 特殊要求